美실리콘밸리 ‘플래시 메모리 서밋’

SK, 2025년 상반기부터 양산 목표
삼성, SSD 등 응용처별 솔루션 응수

긴 불황의 늪에 빠졌던 메모리반도체 시장이 하반기 반등 조짐을 보이면서 시장을 주도하는 삼성전자와 SK하이닉스의 신기술 경쟁에도 다시 불이 붙었다. 경쟁 재점화 지점은 세계 첨단 기술의 격전지인 미국 실리콘밸리로, SK하이닉스가 먼저 포문을 열었다.

9일 업계에 따르면 SK하이닉스는 8일(현지시간) 실리콘밸리 샌타클래라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2023’에서 세계 최초 300단 이상 낸드플래시 개발을 공식화했다. SK하이닉스는 낸드 업계 세계 최대 규모의 이번 콘퍼런스에서 업계 최고층 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하면서 개발 단계의 샘플을 전시했다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리반도체로, 데이터 저장 공간인 셀을 수직으로 쌓아 올려 처리 용량을 늘리는 ‘적층기술’이 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 지난해 8월 이 행사에서 당시 최고층인 238단 낸드 4D 제품을 공개한 바 있다. 삼성전자는 ‘단순히 높게 쌓아 올리는 방식의 경쟁은 무의미하다’며 낸드 제품의 구체적인 단수는 밝히지 않고 있지만, 지난 11월 양산을 시작한 1Tb 8세대 V낸드가 236단인 것으로 알려졌다. 그간 낸드 기술의 한계로 여겨진 200단을 넘어 2025년 상반기부터 321단 제품을 양산한다는 게 SK하이닉스의 계획이다.

삼성전자는 서버, PC, 오토모티브 등 다양한 응용처별 최신 메모리 솔루션과 기술을 선보였다. 특히 이번에 처음 공개한 8세대 V낸드 기반 데이터센터용 대용량 저장장치(SSD)는 연속 읽기 성능이 이전 세대 제품보다 최대 2.3배, 임의 쓰기 성능은 2배 이상 향상됐다. 전력 효율은 전 세대 제품 대비 약 60% 향상됐으며, 고온다습한 환경평가 기준(JESD22-A101D) 700시간을 견딜 수 있는 등 극한 환경에서도 안정적으로 작동한다.

삼성전자와 SK하이닉스는 인공지능(AI) 칩 수요 증가와 맞물려 폭발적인 성장이 전망되는 고대역폭메모리(HDM) 경쟁도 본격화하고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 쌓아 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 끌어올린 메모리로, 미국 엔비디아가 시장의 큰손으로 통한다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 이날 로스앤젤레스에서 열린 컴퓨터 그래픽스 콘퍼런스 시그래프에서 차세대 AI 칩 ‘GH200 그레이스 호퍼 슈퍼칩’을 공개하며 “증가하는 AI 컴퓨팅 파워 수요를 충족시키기 위해 세계 데이터센터의 규모를 확장하도록 설계됐다”고 밝혔다. GH200에 탑재될 HBM3E는 삼성전자와 SK하이닉스가 각각 공급할 것으로 알려졌다. 특히 삼성전자에서는 이재용 회장이 지난 5월 미국 출장 중 황 CEO를 비공개로 만난 사실이 알려지면서 양사의 협력이 더욱 강화될 것이라는 기대감이 커지고 있다.